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南(nan)京華瑞微(wei)集(ji)成(cheng)電路(lu)有(you)限(xian)公(gong)司(si)(以(yi)下簡(jian)稱(cheng)華(hua)瑞(rui)微)成立(li)於(yu)2018年(nian)5月,公司地(di)址(zhi)位於南京(jing)市(shi)浦(pu)口高新區(qu)科(ke)創(chuang)廣(guang)場,是(shi)一家(jia)集功(gong)率器(qi)件(jian)產品研(yan)發(fa)、生(sheng)產(chan)、銷(xiao)售(shou)和(he)服務(wu)於一(yi)體的高新(xin)技術企(qi)業(ye)。華瑞微已(yi)經(jing)研發成功且(qie)量(liang)產的產品(pin)包(bao)括(kuo)高壓VDMOS、低壓(ya)Trench MOS、超(chao)結MOS和SGT MOS,同時正(zheng)在開(kai)展(zhan)第(di)三(san)代半導(dao)體(SiC、GaN)功率器件的研發工作。

TRENCH MOS

溝(gou)槽(cao)式金(jin)屬氧(yang)化物(wu)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管( Trench MOSFET )與傳統(tong)VDMOS相比(bi),具有更低的導通(tong)電阻(zu)Rdson和柵漏電(dian)荷密度,從(cong)而(er)可實(shi)現(xian)更低的(de)導通和開關損耗(hao)及(ji)更快(kuai)的開關速(su)度。HRmicro的Trench MOSFET通過(guo)采(cai)用最(zui)先進的溝槽技(ji)術(shu)和芯(xin)片(pian)布局,可應用(yong)於工作(zuo)頻(pin)率(lv)小於100kHz的各種(zhong)應用領域,很(hen)好的補(bu)充(chong)HRmicro的SGT係(xi)列產品,具有抗(kang)衝擊(ji)能(neng)力強,輸出效率高,成本低等特(te)點;HRmicro結(jie)合最先(xian)進的封(feng)裝技術,可實現更高(gao)的輸出(chu)功率和可靠(kao)性(xing),同時(shi)擁(yong)有各種小封裝產品可(ke)進(jin)一步提高電路集成度(du)。


SGT MOS

采用電荷平(ping)衡原理,使(shi)得N型漂移區即(ji)使在較高摻雜濃(nong)度的情況下(xia)也能實現較高的擊穿電壓,從而獲得較(jiao)低的導通電阻,打破(po)傳統功率MOSFET的矽(xi)極(ji)限。 HRmicro SGT產品具(ju)有柵漏(lou)電容(rong)(Cgd)小(xiao),開關損耗低(di) ,優值(zhi)(FOM)低,抗大(da)電流(liu)衝擊能力(li)(EAS)強等(deng)特點(dian),結合先進的封裝技術增加了源(yuan)極金屬的接(jie)觸(chu)麵(mian)積(ji),減(jian)少(shao)封裝寄生電阻,增(zeng)強了(le)器件高溫工(gong)作狀(zhuang)態下的散熱(re)性能。


SUPER JUNCTION

HRmicro推出的第二代、第三代(dai)超結MOSFET係列(lie)產品,打(da)破了傳統平麵VDMOS的矽極限,使得導通電阻與擊穿(chuan)電壓的關(guan)係得到了極大的改進,由傳統的2.5次(ci)方變為線性關係,極大的優化(hua)了器件的品質因(yin)數FOM(Rdson*Qg),比傳統VDMOS具有更(geng)快的開關速度,更低的開關損耗,更優的轉(zhuan)換效率;第二代及第三代(dai)超結MOSFET分別針(zhen)對性的優化了EMI特性、產品特征導通電阻特性,同(tong)時,也(ye)帶(dai)來了DFN 8*8、TO-247等多(duo)種多樣的封裝(zhuang)形式,全麵適(shi)用於照明應用、各類電源、適配器、手(shou)機、電腦(nao)等多種應用場景(jing); 第二代及第三代(dai)超結同(tong)時推出了快恢複係列(lie)產品,極大的縮短(duan)了超結MOSFET的反向恢複時間(jian),提(ti)高了反向(xiang)恢複能力,降低了反向恢複損耗,適用於半橋、全橋等拓撲電路中,可應用於各種大功率電源、充電樁(zhuang)等產品中(zhong)。


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