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氮化镓為何這麽強?從氮化镓適配器原理中剖析一二
發布時間:2022-06-17 15:58:45   信息來源:KCIC 瀏覽次數:382


這(zhe)兩款適配(pei)器,看似體(ti)積以及外(wai)形(xing)都(dou)差別(bie)不(bu)大(da),但(dan)是(shi)從原(yuan)理(li)出發確是天壤之別。今天,91啪啪免费视频观看從原理出(chu)發(fa)剖(pou)析(xi)市麵上氮化镓(jia)的功能以及參數。



右(you)側為(wei)氮(dan)化(hua)镓脫(tuo)掉外衣的樣子,那(na)麽(mo)!氮化镓氮化镓!到(dao)底是哪個電(dian)子元(yuan)器(qi)件(jian)添(tian)加了(le)氮化镓呢(ne)? 下(xia)圖(tu)是充電器的(de)主(zhu)要電子元器件。



其實充(chong)電電子元器件裏麵(mian),是晶(jing)體管(guan)裏麵添加了氮化镓,而(er)其他元器件均(jun)是常規電子件。



這裏(li)的晶體管是指(zhi)MOSFET,半(ban)導(dao)體場效益晶體管。



而氮化镓晶體管與(yu)普通(tong)晶體管類(lei)似!底(di)層也是純淨矽基,隻是在中間(jian)添加(jia)了氮化镓與氮化鋁镓!為電子(zi)建設了高(gao)速(su)通道(dao)



普(pu)通場(chang)效應(ying)管



那麽!增(zeng)加了這麽一(yi)層(ceng)氮化镓以及(ji)氮化鋁镓,相(xiang)對(dui)於(yu)普通場效(xiao)應管,又有(you)哪(na)些(xie)變(bian)化呢?



一,更(geng)高的擊穿強度



二,更快的開關頻率



三(san),更低的導通電阻(zu)



四,更高的導熱係數



上圖為氮化镓與純淨(jing)矽(xi)的參考(kao)對比(bi)係數(shu)



1. 禁帶寬(kuan)度(du),意思(si)是當矽的電子需(xu)要(yao)逃離共價(jia)鍵(jian)時需1.12EV的能量(liang),而淺(qian)顯意見,氮化镓的電子逃(tao)逸(yi)所(suo)需能量就需要3.42VE。所以才(cai)有第三列(lie),擊穿(chuan)電場強度,氮化镓的擊穿電壓值(zhi)是純(chun)淨矽的11倍(bei)



2. 電子遷移率:由表格可(ke)以(yi)看出氮化镓的電子遷移率(lv)比矽的要高很多(duo),而這裏的電子遷移率意思是在一定(ding)電壓,單(dan)位時(shi)間內(nei)通過(guo)物(wu)體的電子數量。所以氮化镓的開關速率就(jiu)會更快(kuai),反應更加靈(ling)敏。



3. 熱導率就可以通俗易懂(dong)的理解為散熱(re)的快慢



如此(ci)多的優點集一身的氮化镓所以才會使得充電能(neng)夠更加高效,快捷(jie),且安全。



那麽將氮化镓適配器與擴(kuo)展塢(wu)進(jin)行(xing)結合呢?會(hui)迸(beng)發出怎樣的一個產品(pin)?



其實(shi)市麵上早已有人先吃螃蟹(xie)



如(ru)圖!在沒有協(xie)議(yi)IC的情況(kuang)下,氮化镓擴展(zhan)塢直接(jie)將(jiang)功率衝(chong)到30W,簡(jian)化了線(xian)路(lu)的同(tong)時也(ye)控製(zhi)了成本(ben) 而在下圖可以看到,適(shi)配器上有一個(ge)全(quan)功(gong)能C口,一個USB3.0A口,一個HDMI口 雖然(ran)說此圖片(pian)上(shang)的產品沒(mei)有HUB功(gong)能,但是也是為了控(kong)製適配器大小,如果(guo)還需要增加插(cha)口(kou)的話就需要用到HUB芯片。 解釋一下為何(he)此產(chan)品沒有用HUB芯片



由於HDMI信(xin)號(hao)無需經過HUB芯片進行擴展以及控製,端(duan)子直(zhi)接2 lenTX/RX,SBU1/SBU2與C口連(lian)接,如果對於分辨(bian)率有極(ji)高的要求(qiu),可4 len與口連(lian)接,而關於芯(xin)片工(gong)作電壓(ya)問題可添加一顆DCDC進行降壓處(chu)理,給(gei)HDMI轉(zhuan)換(huan)芯片進行電壓供應,而USB3.0A口與C口D+/D-進行連接,所以此產品無(wu)需HUB芯片進行數據(ju)複製擴展。



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